什么是砷化镓红外灯板...

一、什么是砷化镓       砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。       一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格规格5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高文、低温性能好好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。       砷化镓优点：        GaAs拥有一些较还要好的电子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时，GaAs会产生较少的声音。也因为GaAs有较高的崩溃压，所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性，GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。GaAs曾用来做成甘恩二极管、微波二极管和耿氏二极管)以发射微波。 二、 砷化镓红外灯板 产品特性 ☆ 在高效节能环保：高达90%的光电转换率，具有“低耗电功率、低电流驱动、低热效应”的特点 ☆ 使用寿命长：在设计原理上提高敏感电路及元器件的可靠性，使工作时间大于100000小时 ☆ 浓雾穿透性极佳 ☆ 可方便与镜头、防护罩构成一体化装置 产品规格 输出特性 有效距离 80m 输出类型 恒流限压 输出功率 3.8W（Max） 输出电流 360mA 电流精度 ±1% 输出组数 1组 输入特性 输入电压 AC85-264V或DC 120-370V 输入频率 47-63Hz 转换效率 >85% 功率因素 >0.95 (Max.0.99,at A C 120V input ) 其他规格 工作温度 -30°C~+60°C 工作温度 20%~90%RH 存储温度 -40°C~+80°C 存储温度 10%~90%RH 备注 可客制化（修改电气参数和PCB)