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标题: 同轴电缆衰减计算 [打印本页]

作者: 供应线材 时间: 2006-11-29 10:30
标题: 同轴电缆衰减计算

高频下同轴电缆的衰减：

α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(-3)/lg((D+1.5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(-5)(分贝/公里)

f：频率（Hz）
ε：绝缘相对介电常数（实心PE - 2.3；PVC - 5~7；Nylon - 3.5；Paper - 2.0~2.6；PP - 2.6；FEP - 2~2.2；空气 - 1.0）
D：绝缘外径（mm）
d：内导体直径（mm）
tgδ：绝缘介质损耗角正切值（空气 - 0；PE - 0.0005；PVC - 0.05；FEP - 0.0002；Nylon - 0.009；PP - 0.0007）
K1：内导体直径系数
K2：内导体衰减的绞线系数
Kb：外导体为编织是引起高频电阻增大的编织效应系数 = 1.5+0.083*D
Kρ1：内导体相对于国际标准软铜的高频电阻增大或减小的系数
Kρ2：外导体相对于国际标准软铜的高频电阻增大或减小的系数
dw：编织用导线直径（mm）

第一项为金属损耗造成的衰减，第二项为介质损耗造成的衰减，频率超过几兆赫时不大于总衰减的1%。

当频率超过几十兆赫时，导体表面发生氧化会产生一种新的损耗--视在介质损耗，氧化层很薄（约几微米），频率低时（几兆赫以下），电流透入深度（见相关帖子）有几十微米，电流在氧化层流通的部分较小，氧化产生的影响不大；但频率高于几十兆赫时，投入深度较小，大部分电流在氧化层传输，氧化层的电阻率大于导体，使衰减增大，因此要尽可能的消除金属氧化。

作者: 桃园一片 时间: 2006-11-29 17:14

能问一下楼主此公式取自何处？另外能否再烦劳将目前的syv与sywv线缆中的各种各参数能不能标定一下，这样这个公式实际应用价值就更大了

作者: huangshup 时间: 2006-11-29 20:48
很好,谢谢!

作者: hawk9 时间: 2006-11-30 13:40
这只是理论，楼主，现实中的损耗那？

作者: heml 时间: 2006-11-30 16:28

你可以直接到www.ciet.cc去下载同轴电缆计算软件。实践证明，只要电缆是合格产品，计算值与仪器实测值完全符合。

作者: 桃园一片 时间: 2006-12-1 08:41

heml 您的计算公式里缺少红字部分,因此按照厂家(天城)所提供的数据总是差一点

α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(-3)/lg((D+1.5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(-5)(分贝/公里)

作者: weter88 时间: 2006-12-1 11:57

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